新材料行业第三代半导体系列一：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道-20230306-中信证券-33页.pdf
摘要 : 该证券研究报告分析了第三代半导体中的SiC器件的性能优势及其在高功率应用中替代硅基产品的优势，认为SiC产业链中的衬底、外延环节具有技术优势且持续获得下游订单的龙头企业有投资价值。报告指出，海外占据SiC市场主流，但国内企业有望在快速成长中挑战海外巨头垄断地位。同时，该报告分析了多领域驱动SiC需求，预计2025年中国导电型碳化硅需求量将达202万片，对应未来三年CAGR为65.53%，对应导电型SiC衬底市场需求约100亿元，对应SiC同质外延片市场需求约191亿元。该报告也提到多种风险因素，如下游需求放量不及预期、技术渗透率提升速度不及预期、产能扩张速度不及预期等，建议投资者关注国内龙头企业如天科合达、天岳先进、东尼电子、南砂晶圆等以及在外延环节扩张产能的龙头公司东莞天域、瀚天天成。
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