2023中国功率半导体和第三代半导体行业发展现状和前景分析报告-云岫资本-202311.pdf

2023中国功率半导体和第三代半导体行业发展现状和前景分析报告-云岫资本-202311.pdf
该文档是云岫资本发布的关于2023年中国功率半导体与第三代半导体行业发展现状及前景的分析报告,总结如下: **功率半导体行业:** * **市场概况:** 功率半导体是电能转换和电路控制核心,全球市场规模大且中国是最大消费国,贡献了约40%的市场份额。预计未来市场将保持平稳增长。 * **产品趋势:** MOSFET和IGBT是市场主流,并向更高开关频率、更高功率密度和更低功耗方向发展。SiC MOSFET和GaN等第三代半导体材料的应用是重要趋势。 * **竞争格局:** 海外厂商占据主导地位,但国产化率正在快速提升。中国厂商在中低压 MOSFET 领域有一定竞争力。 * **下游应用:** 新能源汽车是主要驱动力,其次是消费电子和工业控制。 **IGBT 行业:** * **技术演进:** IGBT技术已发展到第七代,向更高功率密度不断迭代。 * **技术趋势:** IGBT 技术向小型化、低损耗和高性能方向发展。 * **市场概况:** 全球市场持续增长,海外企业龙头效应显著,国产替代正当时。 * **下游应用:** 电动汽车和充电桩是核心增长点。 **第三代半导体(SiC/GaN):** * **优势:** 在材料性能上优于传统硅,具备耐高压、高频和高温特性,能满足低能耗、小体积小重量等下游应用需求。 * **应用:** 主要应用于新能源汽车、光伏、充电桩、储能、UPS 等领域。 * **SiC:** * SiC 衬底是产业链最关键也是最缺乏的一环,全球都面临“缺衬底”难题。 * 主要应用于汽车OBC(车载充电器),未来5年将成为核心应用。 * 光伏行业进入1500V时代推动SiC的应用。 * **GaN:** * 是新兴产业发展的刚性需求,2026年市场渗透率有望达到40%。 * 主要应用于消费电子充电器、5G 射频器件和 PSU 电源功率器件。 * GaN 产业链集中度较低,主要厂商集中在衬底、外延、制造、设计和封测环节。 * 在光伏微逆变器中应用可大幅降本增效。 **投资建议:** * 功率半导体市场具有逆周期增长特性,重点关注电动汽车及新能源市场带来的机遇。 * 国产功率半导体需携手共进,提升技术水平,缩小与国际厂商的差距。 * 光伏、风电及新能源汽车行业是中国半导体未来发展的重要推动力。 * 中国在第三代半导体领域有设备、材料、制造和应用全产业链优势,有望建立全球竞争力。
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